Samsung представила 10-нм модуль оперативной памяти на 6 ГБ для смартфонов

В рамках форума Samsung Mobile Solutions, который прошел в четверг в Шэньчжэне, Китай, компания презентовала новый модуль оперативной памяти LPDDR4 на 6 ГБ, произведенный с использованием 10-нанометрового техпроцесса. По сравнению с существующими аналогами чип обладает не только большим объемом оперативной памяти, но и является более энергоэффективным, что позволит увеличить время автономной работы аккумулятора.

В 2012 году смартфон Samsung Galaxy S III для Японии получил 2 ГБ оперативной памяти — тогда это было настоящим сюрпризом, ведь оригинальный вариант оснащался всего 1 ГБ ОЗУ. Сейчас в мире Android-устройств наступила эра оперативной памяти объемом 6 ГБ.

По информации сетевых источников, новый 6-гигабайтный модуль LPDDR4 найдет применение в предстоящем флагмане Galaxy Note 6. Традиционно производитель оснащает устройства из серии Galaxy Note последним аппаратными и программными средствами. Кроме того, аппарат оборудуют 5,8-дюймовым экраном Super AMOLED с разрешением 2560 x 1440 пикселей и аккумулятором емкостью 4000 мАч. Ожидается, что новинка будет представлена в августе, как и прошлогодняя модель.

Производители Android-смартфонов все чаще заявляют о переходе на 6 ГБ оперативной памяти. В марте Vivo официально представила смартфон Xplay5, оснащенный таким объемом ОЗУ оперативной памяти. По заявлению компании, смартфон работает быстрее iPhone 6s.

Флагман Apple располагает лишь 2 ГБ оперативной памяти. Сравнительные тесты показывают, что увеличение ОЗУ в два раза сделало работу с устройством более комфортнее, чем с его предшественником, в распоряжении у которого имеется «всего» 1 ГБ ОЗУ. Насколько целесообразно увеличивать оперативную память в смартфонах до 6 ГБ, вопрос пока открытый. Большинство экспертов склонятся к тому, что речь идет о маркетинговых соображениях, нежели о реальном увеличении быстродействия.

]]>

Комментарии и пинги к записи запрещены.

Комментарии закрыты.